一、課題組簡介

清華大學(xué)集成電路學(xué)院錢鶴教授、吳華強教授領(lǐng)導(dǎo)的“新型存儲與計算”（LEMON）課題組是北京信息科學(xué)與技術(shù)國家研究中心重點團隊之一，依托集成電路高精尖創(chuàng)新中心。目前課題組主要從事的科研方向包括：

1、基于憶阻器（RRAM）的存算一體芯片及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法；

2、單片三維異質(zhì)集成和先進半導(dǎo)體工藝；

3、新一代DRAM單元及三維集成架構(gòu)；

4、新型磁隨機存儲器MRAM及神經(jīng)擬態(tài)自旋電子器件。

近5年來，課題組在相關(guān)領(lǐng)域研究取得了很多重要成果，研究團隊在Nature、Nature Nanotechnology、 Nature Electronics、Nature Communications、Advanced Materials、IEEE EDL、IEDM、ISSCC等領(lǐng)域內(nèi)的頂級學(xué)術(shù)會議和期刊上已發(fā)表高水平論文百余篇，多次在重要學(xué)術(shù)會議上作邀請報告，課題組在相關(guān)領(lǐng)域的研究達到世界先進水平，提供領(lǐng)先的研究平臺及工作條件。

課題組網(wǎng)站：http://stor.ime.tsinghua.edu.cn/

目前研究工作需要，擬招聘博士后3-4名，本招聘通知長期有效。

二、招聘博士后研究方向

1、圍繞憶阻器存算一體技術(shù)的器件、工藝、架構(gòu)、電路、算法與芯片研究；

2、基于RRAM、MRAM、碳納米管、IGZO等新器件的單片三維異質(zhì)集成芯片；

3、面向3D-DRAM的垂直環(huán)柵晶體管（VGAA）器件、模型、設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO）方法、存算一體電路和架構(gòu)；

4、新型MRAM磁性材料、器件、工藝，神經(jīng)擬態(tài)自旋電子器件及類腦計算；

5、面向高算力芯片的先進半導(dǎo)體器件（如FinFET）模型與可靠性研究。

三、申請博士后的基本條件

1、即將或已經(jīng)獲得博士學(xué)位和學(xué)歷、品學(xué)兼優(yōu)、身心健康、年齡在35歲以下；

2、申請者三個月內(nèi)獲得博士學(xué)位或獲得博士學(xué)位年限一般不能超過兩年；

3、申請者必須保證錄用后全時從事博士后研究，不掛職、兼職。

四、應(yīng)聘要求

1、具有較強的集成電路相關(guān)的理論基礎(chǔ)、獨立科研能力，能夠熟練使用英語進行學(xué)術(shù)交流與論文寫作；

2、具有器件工藝、測試仿真、電路設(shè)計、系統(tǒng)架構(gòu)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法等相關(guān)背景者優(yōu)先考慮。

五、相關(guān)待遇

在清華大學(xué)博士后相關(guān)待遇規(guī)定的基礎(chǔ)上，提供有競爭力的薪資，年薪可面議。此外，課題組還可協(xié)助申請“水木學(xué)者”、高精尖創(chuàng)新中心“未來芯片學(xué)者”等博士后資助計劃。清華大學(xué)“水木學(xué)者”計劃是清華大學(xué)重點打造的高層次青年人才培養(yǎng)計劃，旨在培養(yǎng)一批潛心學(xué)術(shù)、勇于創(chuàng)新、具有強烈社會責(zé)任感和國際視野的優(yōu)秀青年學(xué)者。可申請清華校內(nèi)博士后公寓，享受住房補貼、子女入園入學(xué)等待遇，詳情請關(guān)注“清華大學(xué)博士后網(wǎng)站：https://postdoctor.tsinghua.edu.cn/，博士后一經(jīng)錄用，即由清華大學(xué)按照相關(guān)規(guī)定負責(zé)辦理戶口、公積金、保險、檔案、子女入學(xué)等事宜。

六、申請材料遞交程序

有意應(yīng)聘者請聯(lián)系張老師（zgzhang@tsinghua.edu.cn）和王老師（wangyuyan@tsinghua.edu.cn）進一步了解溝通。來信時請附上個人簡歷及代表作三篇（公開發(fā)表論文或博士論文章節(jié)），并注明預(yù)計能夠進站時間及感興趣的研究方向。